旋（xuán）片（piàn）真空（kōng）泵在半導體刻蝕工藝中的應用的目的是把經曝光、顯影後光刻膠微圖形（xíng）中下層材料的裸露部分去掉，即在下（xià）層材料上重現與光刻膠相同的圖形。刻蝕是半導體製造工藝，微電子IC製造工藝以及微納（nà）製造工藝中的一種相當重要的（de）步驟。是與光刻相聯係的圖形化處理的一種主要工藝（yì）。所謂刻蝕（shí），實際上狹義理解就（jiù）是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然後通過其它方式實（shí）現腐蝕（shí）處理掉所需除去的部分。隨著微製造工（gōng）藝的發展，廣義上（shàng）來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材（cái）料的一種統稱，成為微加工製造的一種普適叫法。

下麵分（fèn）別（bié）介紹Si3N4刻（kè）蝕的流程：

半導（dǎo）體刻（kè）蝕（shí）工藝之（zhī）Si3N4刻蝕：

在903E刻蝕機中刻蝕，刻蝕機內通入的（de）氣體（tǐ）有：CF4、NF3、He。氟（fú）遊離基的作用是使氮化矽被腐蝕（shí），生成物是（shì）氣體，被旋片真空（kōng）泵抽氣（qì）抽走。為了加快腐蝕（shí）速率可以在（zài）CF4中加入少量氧氣（5%-8%），因為氧能夠抑製F*在反應腔壁的損失，並且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （電離）。COF*壽命較長，當它運（yùn）動到矽片表麵時發生以（yǐ）下反應（yīng）從（cóng）而加速了腐蝕速率：COF*→F* CO （電離），但是氧氣加多了要腐蝕光刻膠降低選擇比。

刻蝕是微細加工技術的一（yī）個重要組成部分，微電子學的快速發展推動其不斷向（xiàng）前。從總體上來說（shuō），刻蝕（shí）技術可分為幹法刻蝕和（hé）濕法刻蝕兩種，初期的刻蝕以濕法刻蝕為主，但隨著器件製作進入微米、亞微米時代，濕法刻蝕難以滿足越來越高的（de）精度要求（qiú）。幹法刻蝕技術得以很大（dà）進（jìn）展。幹法（fǎ）刻蝕一般為（wéi）通過物理和化學兩（liǎng）個方麵相結合的辦法來去除被刻蝕的薄（báo）膜，因此刻蝕具有各向異性（xìng），這就（jiù）可以從（cóng）根本上改善濕法所固有（yǒu）的橫向鑽蝕問題，從而滿足微細線條刻蝕的要求（qiú）。常用的刻蝕方法有很多，旋片真空（kōng）技術是其（qí）中的一（yī）種。半導（dǎo）體（tǐ）刻蝕工藝用旋片真空泵具有刻速（sù）快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大麵積均勻性好、刻蝕（shí）斷麵輪廓可控性高和刻蝕表麵平整光滑等優點，近年來，德國（guó）旋片真空泵被廣泛應用在矽、二氧（yǎng）化矽、Ⅲ-Ⅴ族化合物等材料的刻蝕（shí）上，取得了很好的刻蝕效（xiào）果，可以滿足製作（zuò）超大規模集成電（diàn）路、MEMS、光電子器件等各種微結構器件的要求。

通過旋片（piàn）真空（kōng）泵（bèng）在半導（dǎo）體刻蝕（shí）工（gōng）藝中的應用這個實例（lì），可以反映出隨著（zhe）人們（men）對日本人人交（kè）旋片真空泵的進一步了解和設備的進一步完善（shàn），真空技術會更加適應刻蝕多樣化的要（yào）求，從而被越（yuè）來越多地應用到器件製作工藝中去，成為刻（kè）蝕的主流技術，從整體上提高器件的製備水平（píng），進一（yī）步促進器件水平的提（tí）高、結構的更新和集成度（dù）的提高，更好地獲得一（yī）個很好的效果。