2019-12-07

進(jìn)口真空泵及薄膜的基(jī)礎概念

我們(men)生產的為非晶矽薄膜太陽能電池,了解 PECVD設備及工藝需要對真空(kōng)鍍膜有一個了(le)解,並且對半導體物理及薄膜知識有一定的認識。不(bú)同設備和不同類型規格的薄膜要采用適當(dāng)的(de)分切工藝,設備狀況變化時也可(kě)以通過工藝調(diào)整給予彌補,但工藝調(diào)整必須謹慎。我們先對進口真空泵及薄(báo)膜的基礎概念做(zuò)一個粗略的了(le)解。

 

關於(yú)進口真空泵及薄(báo)膜的基礎概念,東莞市日本人人交真空科(kē)技有限公司分為兩個(gè)方麵進行(háng)分析。

 

進口(kǒu)真空泵(bèng)


關於薄膜的(de)基礎概念,有以下幾個方麵(miàn)。

 

①薄膜:在嚴格的學術(shù)意義上,認為隻有聚集厚度小於某一特征厚度的材料才是真正(zhèng)的薄膜,否則便是一般的薄材料。

②特征厚度:是利用物質的某些(xiē)基本性質在物質聚集厚度很薄的情況下會發生異常變化的現象而確定的,即當(dāng)被選定為參考的(de)某(mǒu)一物理性質或機械性質開始顯示出不同於它通常所具有的特點(diǎn)時的厚度,便是給(gěi)物質的薄膜特征厚度。可(kě)以認為薄膜是一種二(èr)維的材料。

③沉積技術:

氣相沉積(將構成薄膜的物質氣化後在沉積(jī)到襯底上)。

液相沉積(在液(yè)體(tǐ)中沉積鍍膜)。

氣相沉(chén)積:比(bǐ)較容易控製薄膜的組分。

液(yè)相沉積:在接近於熱平衡的條件下成膜,能獲得較妤的(de)膜質。

 

薄膜的主要性能

①膜厚:越均勻越妤,一般應控(kòng)製在一個範圍以內比如(rú)5%,這與玻璃基板(bǎn)尺(chǐ)寸有關。

②膜表(biǎo)麵形貌(mào):通過掃描電子顯微鏡(SEM)投射電子顯微鏡(TEM)等分析表明顆粒狀態,可獲得薄膜表麵的致密情(qíng)況,缺陷狀態,退火處理對(duì)膜表麵的影響等信息。

③膜機(jī)構特性:用Ⅹ射線衍射分(fèn)析膜的組成成分,可獲得膜的純度等信息。

膜應(yīng)力:薄膜內部的應力越小越好,通(tōng)過退火處理可最大程度的釋放膜的內部應力(lì)。

④膜與襯底的(de)接(jiē)觸特性:主(zhǔ)要是指薄膜與襯底之間的附著力,當然附(fù)著力越強越(yuè)好,可避免薄膜出現缺失,開路等。

⑤膜的致密性:主要指的是(shì)膜層的硬度和(hé)抗磨性。避免外界劃傷引起的開(kāi)路現膜的化學,熱穩定性。

⑥針對金屬膜(mó)層(céng):要求製備出的金(jīn)屬膜層的電阻率盡(jìn)可(kě)能低,接近體(tǐ)電阻率。

 

關於(yú)進口真空(kōng)泵的基(jī)礎概念

 

①真空:低於一個大氣壓的狀態就是真空。

②真空度:真空狀態下氣體的稀薄程(chéng)度。

③標準環境條件(jiàn):溫度20°C,相對濕度65%,大氣壓力101325Pa。

④真空特點:氣體(tǐ)分子平均自由程大;單位麵積上分子與固體表麵碰撞幾率變小;氣體分(fèn)子密(mì)度低;剩餘氣體對(duì)沉積膜的摻雜減小。要想獲得高(gāo)品質的薄膜就必須有一個比較理想的本底真空。

 

進口真空泵的不同真空狀態下真空工藝應用

 

⒈粗真空(10000-1000Pa):氣體狀態與常(cháng)壓相比隻是分子數量的減少,沒有氣體空間特性的變化,分子間碰撞頻繁,此時的吸附氣體釋(shì)放可以不予考慮,氣體運動以粘(zhān)滯流為主。主要是利用壓力差產生的力來實現真空力學應用(真空吸(xī)引或運輸(shū)固體、液體(tǐ)、膠體等真空吸盤(pán)起重,真(zhēn)空過濾)

 

⒉低(dī)真空(1000-0.1Pa):氣體分子間,分子與器壁間碰撞不相上下,氣體分子密度較小(xiǎo),氣(qì)體釋放也可不考慮,氣體運動以中間流為主(zhǔ)。利用(yòng)氣體分子密度降低可實現無氧化加(jiā)熱,利用氣壓降低(dī)時氣體的熱(rè)傳導和對流(liú)逐漸消失的原理可以實現真空(kōng)隔熱及(jí)絕緣,利用壓強降低液體沸點(diǎn)也(yě)降低的原理實現真(zhēn)空冷凍和真空幹燥(黑色金(jīn)屬真空熔煉(liàn)脫氣,真空絕緣和真空隔熱,真空冷凍及千燥,高速(sù)空氣動力學實驗中的低壓風洞)。

 

⒊高真空(0.1-0.0001Pa):氣(qì)體分子間相互碰撞(zhuàng)極少,氣(qì)體分(fèn)子與器壁間碰撞頻繁,氣(qì)體運動以分子流為主,此時的氣體釋放是影響真空度及抽氣時間的一個主要原因(yīn)。利用氣體分子密度低,任何物質與氣體殘餘分子發生化學作用微弱的特點進行真空冶金,真空鍍(dù)膜(超純金屬、半導體材料的真空提純及精製,真空(kōng)鍍膜,離子注入(rù)、幹法刻(kè)蝕等表麵改性,真空器(qì)件(jiàn)的(de)生產:光電管(guǎn)、各(gè)種粒子加速器等)。

 

⒋超高真空(>0.0000Pa):氣體分子(zǐ)與器壁的碰撞次數極少,氣體空間隻有固體本身的原子,幾部沒有別的分子或原(yuán)子的存(cún)在,此時壓強的(de)升高除了泄漏外主要就是器壁分子(zǐ)的(de)釋放。應用:宇宙空間環境的模擬,大型同步質子加速器的運轉。


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